製造業者識別番号IS43R86400E-6BL-TR
メーカー/ブランドISSI, Integrated Silicon Solution Inc
利用可能な数量56760 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IS43R86400E-6BL-TR.pdf

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品番
IS43R86400E-6BL-TR
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - DDR
メモリー容量
512Mb (64M x 8)
クロック周波数
166MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
700ps
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
2.3 V ~ 2.7 V
動作温度
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ
-
パッケージ/ケース
-
サプライヤデバイスパッケージ
-
重量
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応用
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交換部品
IS43R86400E-6BL-TR

によって作られた関連部品 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

関連キーワード "IS43R8"

品番 メーカー 説明
IS43R83200B-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II