製造業者識別番号IS43DR86400E-25DBL
メーカー/ブランドISSI, Integrated Silicon Solution Inc
利用可能な数量75480 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
製品カテゴリメモリ
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード IS43DR86400E-25DBL.pdf

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品番
IS43DR86400E-25DBL
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
メモリの種類
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - DDR2
メモリー容量
512Mb (64M x 8)
クロック周波数
400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
400ns
メモリインターフェイス
Parallel
電圧 - 供給
1.7 V ~ 1.9 V
動作温度
0°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
60-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
60-TWBGA (8x10.5)
重量
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応用
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交換部品
IS43DR86400E-25DBL

によって作られた関連部品 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

関連キーワード "IS43DR"

品番 メーカー 説明
IS43DR16128A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA
IS43DR16128A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA
IS43DR16128A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA
IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA
IS43DR16128B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA